|
其實這個問題會比較痲煩,尤其是你有VSS,GND,AGND什么多個不同地電位接到SUB上的時候,雖然實際上,由于工藝限製,他們最終總會連接到一起,但是出于信號雜訊隔離等等目的,LVS和LAYOUT上還是要求區分開來.- V/ ?+ J0 `' f3 l+ v' h
/ H4 ]6 ?5 ~; N/ e用NWELL圈起來恐怕不行,如果妳是環狀的,SUB在WELL下還是連接到一起的,依然會提示SOFT CONNECT,SHORT錯誤,不過這樣做對隔離雜訊是有益的..如果妳是整個覆蓋一層NWELL,那你就沒辦法做NMOS了(指的是常見的PSUB MOS製程)...
. S* J* |( J, J* l+ h! N5 k5 ]+ W在臺電的製程下,lvs command文件中,好像定義了一個類似PSUB2這樣的層,用于專門針對不同ground to sub情況下來在邏輯上分割psub區域.如果是TSMC的,那可以用這個層來把MOS圈起來,就沒問題了.
, F4 a: Y# A' p, r* D
) U: L) z: [. S: G4 G% H4 p如果你是其他Fab的製程,可能就比較痲煩了,可以請FAB支持人員提供多Ground的lvs文件,如果不能獲得支持的話,可以自己脩改lvs COMMAND文件,只需要做一個將普通PSUB分離出來的DUMMY layer 就可以了,calibre應按沒有什么問題,如果你用的是dracula的話,要註意的是要修改下connect的definition.你可以把sub 和sub2看作2个没有连接关系的sub来修改,也可以做一个虚拟的,类似与NTAP的層,把sub放在NTAP(sub2)中,我比较倾向于后面的方法,因为感觉这样修改的内容比较少,而通常的lvs文件都是從PSUB,NWELL开始定义层次逻辑的,所以前者要变动的较多.其他的方法還没有尝试过.
* n. F- R! w" H- @0 ?# r
1 b2 x' } i0 h) K. p这个只是我的理解,可能有误,只做參靠.
" D# M, J$ X% W( {; ^& O
. r' H( e1 G% ?) U, U$ j1 y" ^6 eGOOD LUCK ! SINCERELY |
|