請教:如何在TSMC.18RF下連接DUMMY電容

CHIP321

是關于MIM CAP
; E$ b8 |# L/ n依據design Rule,如果需要better matching and process behavior uniformity,可以在MIM電容四週做一層環狀DUMMY CTM層和Dummy Metal,但是同時要求這個dmmy ctm 層上不允許做 VIA(top),也不允許在下面做VIA(top-1),那么是不是意味DUMMY CTM隻能Floating了呢?

- E! g0 B' H5 Z% S4 _# R: ]還有,做CTM ,或者Metal(bottom)的dummy是否有傚果呢,ctm層不太暸解,但是,電容下層金屬也需要做dummy嗎?如果我隻是做了CTM的dummy,那這個Dummy CTM應該接什么電位?感覺Floating總是不太好.
+ y/ c' ]9 T& X- N
) B% B, T2 {+ e, h另外想請教下,若果是普通的DUMMY cap,它的兩個電極應該怎么接,接到GND,還是VDD,或者直接讓他Floating了,還是兩個電極用金屬連接在一起而后接到所使用CAP的隨意一個端上?

CHIP321

補充下,CAP結搆類似"回"字型,而我擔心的是,增加這樣的一個CTM Dummy層,可能CTM做的更精確了,但是會不會引入cap ctm 和 dummy CTM之間的寄生關繫而導緻CAP的值反而不精確了.也就是說,可能Match的更好,但是容值确發生了變化?