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[問題求助] 如何實現layout

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1#
發表於 2008-10-24 11:35:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一下在.35um的p-sub製程中,如何將nmos的body和source接一起,而不接地?
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2#
發表於 2008-10-24 11:51:39 | 只看該作者
沒辦法吧
  ]% _" c) D' D( X2 ~5 [, q- y4 q, }
$ w5 i. s7 P0 L+ ^不是違法電性
0 t9 S; ?7 C* W; Q; n0 s4 C8 ^* U* h
我是這麼認為啦  |* P! d# G+ G3 ?

9 c. J1 P1 |- T) X! p: ?( [& i% f可能有錯誤=.=+
3#
發表於 2008-10-24 12:32:42 | 只看該作者
Dear deg326 :" S+ A' T0 _2 `4 S
你要把 nmos 的 pwell 跟 P-sub 隔開,
, x; {) t2 A! }* \- m* Y Process 上你就須要有 Deep-nwell 這一道製程 (dnwell).% O: r$ k( X5 E9 X5 c3 C
; |, H7 A8 U) S% R: ^
如果沒有 整個 nmos 的 buck 是跟 substrate 是連在一起的ㄛ.+ T; L; x9 h  {2 B/ P" F
& U# W: D% ~+ x+ P
共勉.5 ~! Z" Q/ d  V; y
4#
 樓主| 發表於 2008-10-24 14:52:47 | 只看該作者
感謝各位大大的回答,小弟要的答案已找到= =+ 。
' G) D' J/ Z8 K  u8 ^在我使用的製程中,不是twin well,也就是說沒有dnwell,所以只好改變接法了。
5#
發表於 2008-10-26 11:43:17 | 只看該作者
很多製程不是都有ISO NMOS提供給使用,# w+ K" {- _( [7 P! r; p
這樣NMOS的S%B就可以不用接GND。
6#
 樓主| 發表於 2008-10-27 10:23:50 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

小弟剛找了一下! J; ]; m) J8 E; i) I
lvs檔中並無iso
+ B  ^, Y7 \1 H* I3 i" T+ u- Z5 v不過還是感謝大大提供這訊息
8 V* }$ R) F* D/ |至少以後要這樣做的話
  c- S; o  D: V, A1 E" o; `. P可以有個概念
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