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[問題求助] 如何實現layout

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1#
發表於 2008-10-24 11:35:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問一下在.35um的p-sub製程中,如何將nmos的body和source接一起,而不接地?
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6#
 樓主| 發表於 2008-10-27 10:23:50 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

小弟剛找了一下
; J' T  K; Z9 X+ blvs檔中並無iso$ J, F7 D9 d0 j' l9 W. x6 d3 i
不過還是感謝大大提供這訊息% N  W) ?* O! @  d% |& J
至少以後要這樣做的話) D9 u; o* h' Z& g4 B; i( C' _
可以有個概念
5#
發表於 2008-10-26 11:43:17 | 只看該作者
很多製程不是都有ISO NMOS提供給使用,7 M* u& N4 ~( B, |6 c. h
這樣NMOS的S%B就可以不用接GND。
4#
 樓主| 發表於 2008-10-24 14:52:47 | 只看該作者
感謝各位大大的回答,小弟要的答案已找到= =+ 。7 }& ^) M; l7 Y4 L( u5 A9 w$ G
在我使用的製程中,不是twin well,也就是說沒有dnwell,所以只好改變接法了。
3#
發表於 2008-10-24 12:32:42 | 只看該作者
Dear deg326 :
( t4 \$ ^- X4 j9 V7 k 你要把 nmos 的 pwell 跟 P-sub 隔開, , O/ R8 z# O! C& Q
Process 上你就須要有 Deep-nwell 這一道製程 (dnwell).
8 G% d0 B0 N2 [+ W$ i! Q9 N% |- h# v* b5 F- [) n
如果沒有 整個 nmos 的 buck 是跟 substrate 是連在一起的ㄛ./ R& }6 Y& l9 X

9 O3 G( h/ `# Y  Q" Z共勉.
% e& c  @) Z. l- B0 w! d
2#
發表於 2008-10-24 11:51:39 | 只看該作者
沒辦法吧) P3 Q1 l+ ]  s' _, G) G
* E2 |  j$ G, x" W
不是違法電性# L3 \2 `. T' ^

! w8 {$ f$ `0 g( u我是這麼認為啦7 q" ^# t$ ]2 C4 }

  l: m. t6 \, J" T! p# }可能有錯誤=.=+
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