芯片的特徵尺寸與其最大工作電壓大概是一個什麽樣的映射關係？

tedaw

如題
- v) y6 y* r2 v! x# }* {, k6 I比如説希望設計一個運放，其最大工作電壓+-10V，是不是可供選擇的工藝（特徵尺寸0.6um、0.35um、0.25um.....）會有所限制？
有沒有一般的經驗準則？
" U$ O4 k" f0 h謝謝
請大大們指教！

semico_ljj

5V以上一般都是高压工艺了！和特征尺寸无关！

lynker

對於5V以下的MOS來說，我認為工作電壓和導致速度飽和的源漏間電場強度有關，而特徵尺寸的減小會導致管子導通時源漏電場變大，所以一般隨著特徵尺寸的減小工作電壓也要適當減小，以避免速度飽和。以上是通過類比電路的思考角度分析，但是實際卻遠比此複雜。
    Razavi的書中提到了兩種按比例縮小的原則，一個是�定電場按比例縮小，另一個是�定電壓按比例縮小。事實上按比例縮小技術采用了�定電場和�定電壓結合的一種規則。
" U6 Q: N4 _7 _. H0 c5 g    對於類比電路來說，隨著特徵尺寸的減小Gm也在下降。
( [# z# }: [. j& D
; o8 r, V  \- m& b. K3 b; z* t$ B[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-25 11:20 AM 編輯 ]