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[問題求助] dead time 問題

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1#
發表於 2009-1-19 01:59:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在buck 電路中 若要增加dead time (Vgs_H  Vgs_L 間隔)
若原本boot 電阻=2.2 ohm
            High side Mos Rg=2.2 ohm
若現在改boot 電阻=10 ohm
            High side Mos Rg=0 ohm
會增加dead time?
把High side Mos Rg→0 ohm 我想是 把high side mos vgs 的tr 變快,所以dead time 增加
但Rboot 我就不太了解了,
還是說我的關念有問題,所以還請板上的個位前輩,可以提出您們的觀點來討論。
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2#
發表於 2009-12-12 19:14:41 | 只看該作者
你好: 我之前有做過PWM電路的dead-tmie模擬;發現,當VDD有湧浪電壓進入時,會比原本的VDD穩定時的settling-time快的許多,由於不知道開機瞬間時的湧浪電壓會有多高以及時間多長,所以只能取一個大約的湧讓電壓高度以及時間來補償電容,使其當湧浪電壓發生時的settling-time會與穩定VDD時的settling-time一樣~~這樣才不會使得PWM輸出控制訊號在瞬間有湧浪電壓發生時忽快忽慢ㄉ
我不知道這樣的解釋不知道對不對~~
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