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這個問題在 LED driver 會常常遇到
: q3 z4 E' a& y5 G2 U$ |
6 c7 Z8 Z; h2 h7 T$ q首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制
) z) t1 c2 l6 _2 g3 K7 J+ c然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知3 b( l: A& L- S, s! n. n" g
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]: E7 `9 t" q0 t! G
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制3 A( J' |9 ]6 X
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
* M$ A+ _& B l: ^. R% S並減短設定時間
( C0 o ~( E$ b2 a! [0 w) b
& b. B5 [+ c a, `. |* U# }8 Uchannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error/ m% r, T( \; q1 y
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
5 o( [9 ]2 `% L% J N# j6 @; J. ^) m6 s& a
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
# v- e" n4 @/ o1 O4 t" M此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
k2 T& k9 H7 J0 g! ^! |
$ u3 _) d+ ~$ F/ X, `' X' x溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T), m# C, c; w% c3 i
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
# u' @7 E9 @, q S2 `# O& }5 \然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,( R( R Z9 v3 _8 z
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,; V: _8 O8 W+ ~6 K' \! @
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
0 G: T# S6 S% d9 J6 A; R) v6 q選用的 theta(j-a) 必須確保在
: }6 s& [+ Y( `, Utypical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
- t3 w9 e% K& _; T/ ] P選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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