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這個問題在 LED driver 會常常遇到
0 q) m5 _' F( s6 d* P$ O4 I6 S2 C* s' f: X# S/ d/ k% _
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制
; V4 @% A$ O- O+ V然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
' q) h1 o: J6 u主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
4 E' O6 p- Q* E鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
" n* p# ~, L9 x, ?% z3 R4 w& u另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力3 h4 A& u+ `6 d# R
並減短設定時間4 U' J+ m4 Y1 v
* L' Z8 }) j1 k, l3 V
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error# B' }$ ~% o! n9 E, ~. p$ [! g
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題# G7 D$ n$ w, X5 U
" P" f- b Z6 N6 I6 J2 X
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
9 _+ d$ E; H* ^# f& m8 ~4 D此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
A8 I; }# l( c2 T, B5 o% V, v6 X0 a. T; k9 C
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)0 k+ W: V+ R$ ~$ M5 i" q
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小+ I/ `& r0 F4 m! x5 `5 C4 A
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
2 g# u5 h/ v, n1 c在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
! k G5 T" K) N" A) B3 K1 R' HPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
1 x8 s. o2 ] M b選用的 theta(j-a) 必須確保在" _9 A- z) R) w- r
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
- F# l/ j7 \4 e! e: P& ?, H選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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