Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 14526|回復: 8
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,
" `4 t6 e8 C- l3 |5 _  E且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?
2 [# f  A; f3 a- i, {' w+ a, H因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
+ D# S2 m) A) g6 T9 l該如何避免?
: T& @4 N, V# k又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?! Q% _+ S& |8 t
該如何克服?

評分

參與人數 1Chipcoin +5 收起 理由
monkeybad + 5 值得探討的好問題!

查看全部評分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂23 踩 分享分享
7#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
回復

使用道具 舉報

6#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑
' Q) f; t# V1 }$ C8 w! z
- G' i; ]9 h4 h1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減
# y8 m) I  J: t3 G! P/ c7 q2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大
" ^" g& z7 T- A% N0 l+ q9 g3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
回復

使用道具 舉報

5#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
0 q) m5 _' F( s6 d* P$ O4 I6 S2 C* s' f: X# S/ d/ k% _
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制
; V4 @% A$ O- O+ V然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
' q) h1 o: J6 u主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
4 E' O6 p- Q* E鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
" n* p# ~, L9 x, ?% z3 R4 w& u另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力3 h4 A& u+ `6 d# R
並減短設定時間4 U' J+ m4 Y1 v
* L' Z8 }) j1 k, l3 V
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error# B' }$ ~% o! n9 E, ~. p$ [! g
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題# G7 D$ n$ w, X5 U
" P" f- b  Z6 N6 I6 J2 X
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
9 _+ d$ E; H* ^# f& m8 ~4 D此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
  A8 I; }# l( c2 T, B5 o% V, v6 X0 a. T; k9 C
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)0 k+ W: V+ R$ ~$ M5 i" q
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小+ I/ `& r0 F4 m! x5 `5 C4 A
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
2 g# u5 h/ v, n1 c在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
! k  G5 T" K) N" A) B3 K1 R' HPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
1 x8 s. o2 ]  M  b選用的 theta(j-a) 必須確保在" _9 A- z) R) w- r
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
- F# l/ j7 \4 e! e: P& ?, H選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

評分

參與人數 1 +5 收起 理由
mt7344 + 5 Good answer!

查看全部評分

回復

使用道具 舉報

4#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match
' f1 s0 |8 O5 d$ E4 f+ o再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定2 l$ p+ u7 ]' j5 d# E

8 X( P5 u- G) M9 z$ }' J( C提供一點個人意見
回復

使用道具 舉報

3#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!
9 F- A" c) V! ]/ C2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!
% t# ~' t  B2 V# l% D! w3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!
8 m& p9 ~, i% q/ R' a7 j" g5 E4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
回復

使用道具 舉報

2#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點* W6 }5 z# y, _* d# k  _( w
   各channel再做1:20(1:50,2:100)
7 A+ a, x" G7 }- b* H, z& J! [2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定
6 n+ b% |* r' N' q$ y   calibration cycle
9 `1 l8 z$ U+ z. p3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!
7 P% l; T& @) v4 ]4 q4.元件的L,W 也要選安全一點的range

點評

Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

評分

參與人數 2Chipcoin +3 +5 收起 理由
monkeybad + 3 Good answer!
mt7344 + 5 Good answer!

查看全部評分

回復

使用道具 舉報

1#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式' r2 H0 S4 h, K$ Z* A3 u( {

* _$ F/ Y5 q0 r4 ]6 i# Z不過之後的layout才是重點核心的部分
, R# d  p% U( V) T2 H
1 e" U. P: ^( w% Q# z, B

評分

參與人數 1Chipcoin +2 收起 理由
monkeybad + 2 感謝經驗分享!

查看全部評分

回復

使用道具 舉報

您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-17 03:20 AM , Processed in 0.110514 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表