Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 29668|回復: 15
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Bandgap 如何做到好的line regulation?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2007-7-5 09:59:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好:/ v# P/ ?+ I; C- R
     目前在做一個Bandgap, Line regulation必須相當的高, 製程用到高壓32V, 用的方法是IPTAT的# r' j/ k  O' z% l& k' i# `, @
方式的BG, 然而下線出來之後, line regulation 5V~32V約70mV, spec為20mv, 實在不知如何解, current
6 c% q( f  o# X4 P- a: Z+ Tmirror 有用cascode去實現, 依然不是很理想, 不知大大有何高見~
+ Y( E4 z6 w4 r3 d* U8 Q) P船長
5 X2 G9 F& x% h1 I
3 ?2 \6 w( Q8 |. {( M% m8 q8 e% @9 h3 _% \' q3 P" u
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
/ s% z. C) o) {bandgap voltage reference? 8 s4 |* p1 [! |. w
bandgap voltage reference? 8 y8 p/ Z1 L' z4 v+ l: h/ o
關於CMOS的正負Tc
/ @3 X5 W+ R) b+ m+ a: }) r  V5 c如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
4 r7 m$ j& h2 t2 [! Q請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
, ?- K+ c' E1 F. Y5 q& obandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成) 7 q- @$ Z5 s# v# M; m0 H" `
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
( b( |6 r  A2 Q9 B/ r' R: F( n
  R/ a( Q6 e4 C2 N. |) a/ S) ]$ w

$ R- `) L% B) I% c( F, g. T
: V" O7 _% p- Z, D5 E6 i[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:48 AM 編輯 ]

評分

參與人數 1Chipcoin +3 收起 理由
monkeybad + 3 Good question!

查看全部評分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂447 踩 分享分享
2#
發表於 2007-7-5 15:10:11 | 只看該作者
沒有在這麼高壓的環境做過..% ?3 m/ F6 j# v( }
不過之前去上課時講師有提到一般會使用 pre-regulator 的方式來做為 BG 的 power...3 c) @; E9 F/ ~! r: O: c
# D8 r) t7 F$ U8 _$ T+ Y5 A
或者您已經這樣做了仍無法 meet spec??

評分

參與人數 1Chipcoin +2 收起 理由
monkeybad + 2 感謝經驗分享!

查看全部評分

3#
發表於 2007-7-5 22:47:50 | 只看該作者
我沒有作到那麼大power range的Bandgap voltage
! o3 W( q0 s+ g1 o  ?# u7 H# e! \我前陣子有作一個2.2V ~ 12V的LDO電路# u. _; g# C0 d& b/ B$ H6 P
原本也是打算讓Bandgap voltage的工作範圍是從2.2V ~ 12V,但,考量到corner issue/ ^2 C% U7 M: ~! ]1 r
所以後來改採內部作個internal regulator,亦即將2.2V ~ 12V的power supply透過內部的internal regulator成2.2V ~ 4V的工作電壓,如此一來bandgap voltage的工作範圍就從2.2V ~ 12V變成只有2.2V ~ 4V的電壓範圍; W$ {6 d; u: ~$ S; K4 P  ]% ~+ y* J5 X
再來,再維持好的bandgap voltage: z" x. O- s7 k. {# J" e$ O
" B6 h/ ^$ Z. `( T8 t# h0 O) H
我個人的建議是將bandgap voltage的op的gain值調到最高8 z0 \" X* E  b5 k& |- J
以我這個case來說,bandap voltage的工作電壓從2.2V ~ 5V, 在TT/FF/SS且溫度從-25~150各種情況下,bandgap voltge大概只有7~8mV,我作的這顆bandgap OP的gain值大概在70~90dB左右,在我的觀察裡,OP的gain值愈高,愈能夠縮小bandgap voltage range,不過,缺點就是犠牲了bandwidth,而這就變成一個trade off的考量點
; j6 N2 I8 g: Q; }( c1 R2 A9 P
& E2 l% C8 F- Z# V# c7 U" U0 R以你目前所遇到的情況來看,想讓bangap工作在5V ~ 32V應不是問題,但,如何確保OP Amp在5V ~ 32V均有非常高的gain值就變成幾近不可能的任務,我自己在作2.2V ~ 12V的OP時,低電壓部份的gain值都只有30幾db,一直要高到某個程度電壓才有辦法讓OP高到80db) f& S5 v, Z0 p- p
所以,建議你先用一個pre-regulator來讓電壓往下降,如此一來bandgap voltage才有辦法達到你要的spec,不然你就真的只有碰碰運氣看能不能調出最佳化的電路出來

評分

參與人數 8感謝 +14 Chipcoin +5 +27 收起 理由
2008ql + 4 經驗豐富,受益匪淺
amanda_2008 + 10 很好很清晰的一个例子,可以让自己考虑的更 ...
semico_ljj + 2 经验。
james7232 + 5 好答案!
chenwhae + 5 學到不少!

查看全部評分

4#
 樓主| 發表於 2007-7-25 18:01:21 | 只看該作者
感謝大大的建議,這個想法我有想過然而spec的電流是相當小的, 1.2uA所以用pre-regulator的方式沒有辦法行的通,
4 p3 l9 H# f3 U' h還是有大大覺得行的通的可以指點一下,我覺得pre-regulator需用電流值應會超過才是.
5#
發表於 2008-9-11 14:48:45 | 只看該作者

正好需要哦

6#
發表於 2008-12-22 19:42:53 | 只看該作者
各位大大的建議剛好是我所需要的~, w. y. Y0 J# `! N6 t5 b$ O
謝謝~
7#
發表於 2008-12-24 10:56:31 | 只看該作者
這問題也困擾我很久了, 感謝各位大大無私分享, 3Q~
8#
發表於 2009-8-12 11:03:48 | 只看該作者
我最近也遇到这个问题 需要做一个能在2.5-16V工作的bandgap,要低压高压都Work且低功耗真的有难度
" K( `$ H* S5 _! r4 E, j0 F% }6 x; ~6 S. `/ x$ D( n4 q+ b
我还有个问题想请教一下 在这么宽的电压范围内各位的启动电路如何设计的,因为我的启动电路在高压时消耗很大的电流
9#
發表於 2009-8-12 16:31:46 | 只看該作者
原帖由 bysrobin 於 2009-8-12 11:03 AM 發表
  J  C# [0 h) u$ c, u  U( c我最近也遇到这个问题 需要做一个能在2.5-16V工作的bandgap,要低压高压都Work且低功耗真的有难度
, z0 N; i5 r$ T$ q/ {: j
) o% h3 Z1 m1 B% u' m. ^我还有个问题想请教一下 在&#3 ...
+ v' j8 v, f( k2 J- e; J* y
8 m- v; }( ]8 c  W" w5 Y" F
可否设计几个不同开启电压的启动电路,然后开启后通过一总开关来关闭所有启动电路
10#
發表於 2009-8-18 11:48:48 | 只看該作者
原帖由 bysrobin 於 2009-8-12 11:03 AM 發表
0 ?" F& G3 ~  t$ h我最近也遇到这个问题 需要做一个能在2.5-16V工作的bandgap,要低压高压都Work且低功耗真的有难度
. C# u7 U, H% B; d* f. @$ V& j& l& n  ^: U, X$ b
我还有个问题想请教一下 在&#3 ...

" r  @+ U+ f9 Z5 E+ ?+ w; ?" }6 W& b, n
前段时间做4V的LDO,电压范围4V~20V,对line regulation的要求比较高。搞了好久也没结果,后来发现是bandgap的line regulation有问题。- a2 m0 ?# w! O# o: Q3 x2 U
于是有了如下设想,用LDO的输出为bandgap供电,这样bandgap的供电会一直维持在4V,bandgap的line regulation便可以保证,于是LDO的line regulation就能得到保证。& O, g) m% P3 I
电源上电后,先提供一个近似的Vref让LDO的输出维持在4V附近。这样LDO的输出会为bandgap供电,当bandgap启动后再将bandgap产生的Vref切换给LDO做准确的参考电压。
7 x2 C9 f3 x8 c9 G# E9 e8 t这样一来bandgap的供电便不随电源变动,LDO的line regulation也可以得到提高。
11#
發表於 2009-8-18 14:05:55 | 只看該作者
目前小弟正在做一個2V~3.8V的bandgap
" m7 D. {1 C6 v, U感謝啊,很好的觀念
12#
發表於 2009-10-21 18:23:13 | 只看該作者
原帖由 ljh 於 2007-7-25 06:01 PM 發表
( g3 V8 y* ~' d8 m感謝大大的建議,這個想法我有想過然而spec的電流是相當小的, 1.2uA所以用pre-regulator的方式沒有辦法行的通,, z2 h' K1 d. P4 n; y
還是有大大覺得行的通的可以指點一下,我覺得pre-regulator需用電流值應會超過才是.
% f2 F6 S! x" {& U; J( B$ w
2 w& `; ?2 Q( U' _8 n8 |
請問一下,1.2uA這個spec是over entire operating voltage嗎?感覺好猛。7 E+ S' H5 m) w8 L$ }
如果可以分段做也許機會高些。
13#
發表於 2009-10-21 22:00:28 | 只看該作者
嗯~~~又學到一些新的知識了~~
6 d# ?+ l1 l  t感恩啊 ~~~~
14#
發表於 2009-10-28 17:03:01 | 只看該作者
1.2uA這個spec~~真的有點過頭喔~~借問一下用點幾的製程阿??1 N- W& F2 L* q; r1 }
你的MOS大部分應該在subthreshold region吧,那面積一定不小喔。
15#
發表於 2011-9-21 10:01:54 | 只看該作者
我的都在135uA,做到1.2uA真的利害了。
16#
發表於 2011-11-1 10:46:52 | 只看該作者
我現在也是在做6-27的Bandgap電路,為了給LDO有一個參考電壓,但是做完整個電路去模擬line regulation發現,當高電壓下降到低電壓時,Vref(Bandgap輸出)會幾乎降到零,要等一段時間後才會穩定,
8 i3 R6 f4 ?  H' e. k因此我在尋找解決Bandgap的line ragulation問題。
# `4 U+ O/ |) H' j4 [1.因為我的電壓範圍很大,因此我在設計Bandgap的OP上將MOS的Length調到最高,使Vref的變動很小。$ N3 Y. I: Y5 q
但是這讓我模擬VDD 20V降到6V 或是 27V降到6V,我的Vref並不會很快的穩定,因此我又將Length直條到1u,後Vref會很快達到穩定,但是Vref的變動卻有0.2V以上,想請問我是不是也是如上面所說的讓Bandgap的VDD讓Pre-regulator提供。$ E' [. y4 A) n
2.Pre-regulator的電路我要怎麼選擇,我目前找到的三種,其中最簡易的適用於UVLO電路(大約10個CMOS),但是也看過其他的電路,需用到BJT和CMOS的組合,所以我再請問有沒有人有做過Pre-regulator for Bandgap的架構可以提供參考。
# ?+ ?" P; T7 v$ A附件是我看到的Pre-regulator:
) M$ g+ R2 G3 B: }3 Y+ p. P$ r, ?* r! ~/ c
1 c5 I0 `, f* z9 s7 Z$ T0 n

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-9-21 09:25 AM , Processed in 0.193011 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表