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[問題求助] poly fuse 的問題

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1#
發表於 2007-7-5 15:27:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
不知道發這個版對不對... " e7 E! H/ j* k. }; d

0 ?0 b- U. A4 U想請教版上有使用過 poly fuse 的前輩們..
8 U0 E% L* |7 D一般在 C/P 時要確保 fuse 燒斷的條件是如何?? 小弟目前有個產品使用 0.35um process 生產, - Q3 N4 y- T2 p' p# l9 U
poly fuse 區域 W=0.4um, L=0.8um, trim 的條件為 5.5V, 限流 150mA, 持續 70ms, 不過ㄧ個4 A4 P$ q7 U+ u. y2 k
lot 生產下來仍有 2% 到 8% 不等的失敗比率 (從 log 看起來是沒有完全燒斷)...) I9 F: p3 A. ~+ B1 ?
- ^! z; v9 Y3 J& U2 x
目前沒有什麼方向...不知道該怎麼解決說.... p# {; G9 d! O* N& o) f
$ f/ a7 q( ?+ q/ l' t2 Y
先感謝前輩們的分享..
& ~; n' X4 ?  Z9 e& Z0 S" C  P8 |& J, z5 c
以下是 Fuse & Trim 的相關討論:! S# s1 }+ [: J( f+ O" v
e-fuse?  1 `9 Z5 @  `' @; P7 p8 U/ ?
poly fuse 大約多少能量便可以燒斷? " B0 L3 g) V7 S$ q# o9 G7 m
如何判断poly fuse 已经blown  6 g5 d1 \$ I3 ?: t
有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  
; R3 ^4 _" d2 KLaser Trim 2 j1 X; K( `1 i1 n
做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  
7 C; F: V$ p. ~0 M- H% o# U  VTrimming method?     n! s: T( D( X; _: U
Current Sensing Resistor Trimming!!   1 x- B& q' w. J# `7 [
请教做laser trim的注意事项  
9 k# D5 u3 g0 j5 i* vCurrent trimming 要如何做呢?  
7 E  ~0 v! g$ v" K8 k! D! P0 R& u. U: q  ^7 G; [2 @

/ u6 v) O- |' r% {

& c5 r& [& l6 ^; u& ~! [* H
* R+ I& A* u4 z. e2 @& \[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:39 PM 編輯 ]

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monkeybad + 3 Good question!

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2#
發表於 2007-7-5 19:49:58 | 只看該作者
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3#
發表於 2007-7-6 13:08:04 | 只看該作者
1.一般題高電壓是可行的,但須不damage device 為前題; .35 應可耐到至少 7V 不會 break-down 吧!?! V* J8 L( h. D8 }) Q
2. Current limit 放大些,因為初期的做用會因為 R 小讓 current limit 限制了stress 的 power ( I^2*R << V*I; 因此時的 V已掉落至很低的電位了!8 A. B2 S  g  u: F& c
結論: Current limit 放大至 CP 探針之限額內, V 提到最大且不會 break-down, trimming 的時間可以縮短很多!可靠度也可以改善!

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wpwang + 3 Good answer!
skyboy + 3 很實用的回覆, 謝謝..
mt7344 + 3 Good answer!

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4#
發表於 2007-7-8 23:07:08 | 只看該作者
poly fuse ...
. G0 X, V, ]' I) B我看到的fuse 很少有用poly fuse
* V& X4 ~  B+ \. Q通常是用metal fuse...
9 N# F! U6 t3 }$ v- d( V4 x! m我以前看過有使用poly fuse
( F  u2 g* l; [/ s  I( {1.因為 process 是 0.6um 所以電流較大(about 350mA)
$ M" n  a, v( m# J1 ^大部分的fuse 都燒斷了,但是還是有一些無法燒斷
( h3 d, o+ b7 @: E. v有用顯微鏡看(0.6 um 還可以看啦)
0 P# {2 Z& X( v" o+ j* j發現到燒斷的地方形成一個節球,又短路在一起了1 d) \8 C- T- e' i
才發現到layout 的形狀也是蠻重要的2 i! I+ r, ?/ f% M4 X% ]  q6 ]
最好要有轉角(電流集中)
" B" m; n+ [  g7 Q3 E2.fuse 的地方通常會開window/ F. o: @/ J3 ]4 ^; _- P
......結果......水氣跑進去,原來燒斷的地方又短路了???1 l, e6 N( Z& h: Z/ N0 M
目前解決的方法是,封裝前要烘乾一次........
5 H/ k: w/ L' x# w
  S( c  {6 F+ t- c/ U以上是實際的經歷,僅共參考

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skyboy + 3 很有用的經驗, 感謝分享..
mt7344 + 3 Good answer!

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5#
 樓主| 發表於 2007-7-10 21:55:34 | 只看該作者
嗯..感謝兩位大大的經驗分享..
* _% w! c  h; R$ A6 l$ }, b, B7 K3 K2 w1 U8 L, M7 A# Q4 y* j
關於 ssejack1 大的建議, 從過往的 WAT 來看這個製程 3V MOS gate oxide 的 break down 電壓大約都在 8V 上下, 雖然 WAT 的 spec low 是只有 6V 啦 (foundry 的 spec 都訂得超級寬...) ! ]# C& o2 u$ W6 I# B; o6 I2 g

1 k  L, x0 }" {5 w4 t0 N不過應該還是 ok, 所以我們已經修改測試程式提高 trimming 的 stress, 這幾天應該就會試試看...9 L3 W  j+ b) X% i  W

! R. i, b% h/ G2 X7 M- {) x另外關於 kkk000777 大的經驗, 有個可以分享的是, 我們之前針對沒有燒斷的 die 去做 PFA, 剝到 poly 那層發現就像大大說的一樣, 燒的時候是有熔斷, 不過又"流"回去了 (foundry 的說法) 就又 short 了, 而第一次沒斷要再燒就很難斷了 (應是因為阻抗變大, 同樣外加電壓下的電流就又更小了)...5 |( |( J! e* {' A& B7 _
( c, h3 D( E1 r& j$ L
不過 foundry 的人說, 我們的 poly fuse 被 power ring 蓋住, 是造成 poly 燒完又搭回去的主因, 建議改光罩, 關於這點不知各位看法如何? 我是覺得不太能說服我, 就算我上面沒有 metal 蓋住, 也是有其他的 field oxide 以及 passivation 蓋住, 應該也有一樣的問題不是嗎??1 k8 d+ u4 m6 @
9 r& k7 Y* @  G# e8 m
另外我再衍生兩個問題 (我問題真多.. )& o8 s! I" p0 Z2 A; y
1st. poly fuse 與 metal fuse 有孰優孰劣 (可靠度) 的分別嗎?? 上次有個 foundry 的人跟我們說, poly fuse 的良率是很低的..(??) 因為我們使用這個東西的經驗並不是很多, 一開始就是用 poly fuse..目前有新產品在進行, 應該也會放入 trimming 的機制, 想了解一下業界在使用 fuse 上的一些習慣..
& z2 H+ `) O3 L$ v0 ~2 i0 d! a0 w$ Z6 p0 o2 g; m& p) \
2nd. metal fuse 除了面積較大外, 因為他燒斷時是"爆開"的, 會不會有 short 到另外的 pad 的問題?? 還有就是大大提到的水氣, 是否要考慮 package 品質導致日久也是會有水氣跑進去導致 short 造成的一些誤動作??  假如終端應用上是單價較高或環境較嚴苛的產品, 需不需要考慮這個問題??

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mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 2 感謝經驗分享!
chip123 + 3 不怕問題多!怕的是沒人討論?論壇吶!

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6#
發表於 2007-7-12 20:40:26 | 只看該作者
1.關於poly fuse 的方面,其實我們公司已經放棄此做法3 J$ `  [4 |$ P  s& x
   由於不是直接使用pad dirver , 是built-in buffer(nmos): n' h# y0 ~2 T
   算起來還真的是不划算說,由於並沒有量產所以良率並不是很準確
& G- B6 _: _! A   但是工程樣品的數據大約 80% .7 L; G  C) {7 e! Y2 D- [4 F- l

. z2 ]5 I! U$ x5 F" @$ j. E. Y2.metal fuse 的方面,目前的測試數據還算不錯,隨便都燒的斷, R2 d; V( g. i) v% x/ }
   不過要注意layout , 多個轉角比較容易燒斷,也不容易熔回去
6 @9 i' X  h3 ?( C$ Q# g$ S( v2 Z. O: A& K' t
3.關於開window 的部分,也不知道是誰建議的(好像是fab. 的人)8 E3 j4 E4 S4 c' R
   水氣就是會累積啊,真是XXX,害我drc 跑個半死....  N7 E9 t' u! j  Q0 F! V

9 o6 W& C0 N2 i2 |3 X4 f: r- s! l4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考
5 O% d7 N, s( e, p% D4 ^; q# m   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......
! ^7 D- l" ^. l6 Z  ?6 ^) V- M& I   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的; o3 E. P8 d% S7 `5 f
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),
; |. m' j! ]- A8 S; q/ o1 e, M" I   面積當然省啦.....
) h5 S- \% a4 s  n; z   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以1 C9 P7 A: b( `& G; {" |
   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給* U4 }$ J: {' F# d- [
   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看....

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參與人數 5感謝 +2 Chipcoin +5 +11 收起 理由
sam7186 + 2 感謝經驗分享
ssejack1 + 5 感謝經驗分享
skyboy + 3 實用的經驗分享, 可以嘗試..
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 5 感謝經驗分享!

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7#
發表於 2007-7-16 17:57:12 | 只看該作者
以前接觸memory時有使用poly fuse,修補率都有95%以上,影響修補率有許多因素,laser machine setting, fuse layout的條件都會影響,我這裡有一份Excel file有針對輸入不同條件如何選spot size與energy,focus以達最大修補率, 可發email跟我要

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wpwang + 5 人人為我,我為人人!
mt7344 + 3 學到不少!

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8#
發表於 2007-8-1 21:47:47 | 只看該作者
請問 poly or metal fuse 與 靠 MOS gate oxide breakdown 的 OTP 比較, 優缺點是哪些?4 H# C% d1 v  O% m  O; b
Thanks.
9#
 樓主| 發表於 2007-8-3 14:12:36 | 只看該作者
原帖由 kkk000777 於 2007-7-12 08:40 PM 發表
/ `* ^) u% ~: K2 T+ }9 a4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考% R" q/ G* {8 R  K, [7 c) k
   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......; g+ A) f4 o7 a- [1 q" z& q( [
   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的3 r! d) @! C# \. u! m0 T3 K
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),4 h* l2 j& h7 Q- T8 J$ ?
   面積當然省啦.....
0 E) m; v7 W8 L   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以
" e2 [+ {+ |. Q3 {7 x   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給
% q: x) F4 G3 P: c5 q   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看...
- x2 U2 }& o+ N

+ w) t3 y5 E8 ~2 S  t
/ [( g- k% h3 X1 h& M3 _看到 kk 大的回應才想到好像之前忘記聽誰提到過有這樣的 "偷雞" 法...2 b, V( R* Q8 }5 |7 ?# |& F1 p9 T
嗯...如果是這樣確實可以節省很多面積, 用 metal fuse 的話也不用擔心
7 H# a% q) B. ~: D! h+ m* t2 l水氣累積的問題 (D/S 後 trim pad 都被切掉了..)
" U* l" n5 t% i5 T2 V3 T0 Y9 k* _* b- `0 Z1 k  _0 b; @" e
不過 ATMEL 應該有他們自己的 foundry, 自己想怎麼搞都行...% r- }. D1 j- q4 u: M4 n: M( H
手邊正好有個新 project 在進行, 看來是考驗我們跟 foundry 交情的時候了..., n& ^! Y, u- r9 v9 P8 E
呵呵...
9 W# E! `, M+ A5 ~" u; k2 X4 k( L, f" b/ Z# p( U5 n! `( P& X
順便 update 一下情報, 後來我把 trimming stress 提高後 trim fail 的數目. z$ i, [0 W4 n5 t
就減少許多了, 不過因為只測了一兩批, 這個部份還會持續 monitor...
10#
發表於 2007-8-10 11:51:15 | 只看該作者
請問 各位高手
% K) b, }# g3 R- k2 S5 Z8 X: v! q   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?. M3 j4 X5 L. M4 U; Y
謝謝
11#
 樓主| 發表於 2007-8-17 18:04:56 | 只看該作者
原帖由 wpwang 於 2007-8-10 11:51 AM 發表 ; j- \3 E3 C2 U2 j' G
請問 各位高手 ( Y# ^# K1 U& V* J+ L7 Q
   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?
. W/ O# u0 Y0 Y4 A! E+ t+ R' _謝謝

+ G8 E8 y+ F% A) T  |& J+ R2 A1 y5 B! J
5 q3 a+ S: w8 j5 p您的共用是指用一般的 I/O Pad 來當成 trimming pad 嗎?? 還是說一個 pad 可以跑信號
: m6 i2 k. g1 q9 K3 S  J又可以用來 trim fuse??
* ?: u5 i6 d1 a: y* c7 K/ X/ D% H
, d0 Z8 \( N4 m, Z如果是後者應該是不行的吧....- \, u! M2 i2 O+ ?: ]
如果是前者應該也是不行, 因為一般 I/O pad 上會有 ESD 電阻, 會限制你 trimming 時的, g, _3 d# Z/ V' X! t
電流, 所以一般大概都是另外畫一個 pad 給 trim 的 function 用...
/ h- L5 c5 V. j, Y4 K( s/ @+ r: J/ d. U% K0 Y5 g' L
不知道是否有回答您的問題.......

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12#
發表於 2007-8-22 13:04:35 | 只看該作者
有一問題請教,一般 metal/poly fuse (漏斗型橋接)的 trimming 效率以常理推論 , V/I source 只要題供的能量足夠,均可以燒斷!" Z' l: a: V- n/ A1 }3 D+ t
最近有個 case 是 metal fuse , fuse 欲燒斷之橋接處呈 30~45 度橋接; 此形狀的 fuse 在trim 時電壓不能過高 ( typical 2.5V) 如超出個 200/300 mV 會造成trim完後又熔接的現像!!!..........真是無言.....   p6 j6 i$ Z* `- _5 p* Q" |' }
不知那位好心的大大可以幫忙分析一下可能的原因?% P/ G0 {$ R# h# G
先感謝啦!
13#
發表於 2009-3-6 22:17:43 | 只看該作者
不曉得您是不是問這個問題
- H/ d' N+ Z1 G5 Z7 H' l8 O
1 c0 t$ ?% y( B# o* q我們家有的產品 trim pad 是可以 bonding 出來的# ]& x: ?4 f! F* v

3 V. ?* b3 @9 o! G; p* Q, _$ g4 @, U! r也就是 bond pad 與 trim pad 是共用的2 I9 N; [/ B, A. R' u0 ?4 p

# z3 D( F4 H/ E[ 本帖最後由 redkerri 於 2009-3-6 10:20 PM 編輯 ]
14#
發表於 2009-3-10 21:27:17 | 只看該作者
CP 時請測試廠用氣吹一下正在trimming die,應該有幫助良率上升(要有開窗的poly fuse),
& j  w% O  }8 n0 `9 [* e1 O5 u還有其偵測電路也是一個問題,因poly fuse,trimming 之後,可能呈open有可能呈高阻,且高阻trimming 多次也無用.
15#
發表於 2014-1-10 10:34:57 | 只看該作者
回復 3# ssejack1
: x- e, U+ x4 `- w2 j: @, d6 g( u( e5 ~
' {. i1 ~1 H# P) k8 G! k9 I
    幫助不小, 謝謝!!
16#
發表於 2014-1-10 10:37:09 | 只看該作者
回復 4# kkk000777 + Y2 O! F1 Z  [4 h: A0 C+ u) o
1 n: X0 K) _$ L( l8 v$ V' j( ^
; D6 Q( o  m2 z7 U' _2 i2 t
    封裝前要烘乾一次........很好的資訊, 謝謝!!
17#
發表於 2022-11-1 16:12:28 | 只看該作者
谢谢,学习了!!!!!!!!!!!!!
18#
發表於 2023-11-3 01:55:53 | 只看該作者
kkk000777 發表於 2007-7-8 11:07 PM' Y+ l9 q4 U5 h3 b2 g/ l$ {
poly fuse ...
+ _2 u3 _& [) _! t4 S: [( X. c我看到的fuse 很少有用poly fuse; f1 q4 Z9 K# ?
通常是用metal fuse...

! X! p+ X9 G9 g* N) k2 W
0 L+ U, n  U. c& N% Y; M. T" s: m: A- X/ `& [
很有用的經驗, 感謝分享..

* a+ w3 Q- L6 O# m$ P3 M
19#
發表於 2023-11-3 01:56:26 | 只看該作者
Good question!
6 t( M6 D4 f( w/ A- J
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