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[問題求助] 想請問一下設計mos的wenth跟length

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1#
發表於 2007-9-15 00:17:02 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近一直在模擬paper上的電路,(也清楚了為何電路會這樣接)  h0 C  d* q  g, q! a1 J
好比說VCO,PLL的電路- h% j( Z: x% F# G/ R4 r
通常你們在設計nmos或pmos的時候,長寬比都怎麼去設計呢0 C1 o8 `2 z  s& j6 ]; n$ n# I
如果是以0.18um製成或0.35um的製程來說- W3 b9 X9 V2 R0 D# g8 D5 u
不知道各位專家有沒有什麼建議或指導之類的.....
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發表於 2007-9-19 10:31:31 | 只看該作者
類比的世界  沒有 standard!!
: d3 Q& i- b# x/ ^& E8 \所有的 width & length 都是依照設計者的需求來設計!!
5 z4 Q/ a- D! X所以  應該沒有人可以告訴你標準答案!!% g9 Q- C3 `# [
或許  有這麼一條 guide line 叫做  儘量不要用到 min. length/width!!
0 D2 ]0 W' a. x5 U這是考慮到製程變異的時候!!  假如不 care 時  也是可以用的啦!!3 Z$ n, R1 b- }1 `: y: A4 C
看你自己的需求唷!!

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monkeybad + 5 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-16 18:56:58 | 只看該作者
根据工艺确定Length,然后根据MOS的功率和速度确定wenth。
4#
發表於 2007-9-19 17:04:53 | 只看該作者
L與W跟你的操作電流、頻率盛至跟溫度有關! _/ L' b0 W0 t0 s( X% S% E  M% t
一般L的不要抓到min值,L大一點可以避掉製程size的變異
3 T; s6 A- x- F* e7 X3 m適當的W/L比例控制去抓Veff值比較好
5#
發表於 2007-9-20 16:46:12 | 只看該作者
一般在設計NMOS或PMOS,為了讓MOS在飽和區工作,以所需要的電流(Id),再利用MOS飽和區電流公式Id=1/2 u Cox (W/L)(Vgs-Vt)2來估算W/L的比值,; J+ [/ h9 @' f+ ]; d3 ]& r
另外,如果是0.35um的製程,表示L最小可以到0.35um,但建議不要用到最小,因為如果製程不穩,L很可能會跑掉,而造成電路Function功能不正常。
6#
發表於 2007-9-21 19:50:54 | 只看該作者
比如W/L=12/60. 和这个20/30。match怎么看
7#
發表於 2007-10-26 13:49:55 | 只看該作者
Sorry, I would say they are total mismatch!
8#
發表於 2007-12-16 19:42:58 | 只看該作者
一般類比電路的書籍(ex:Alan..)都會提到喔,大部分都是以OP當做例子,利用OP的規格去回推MOS的SIZE喔.
9#
發表於 2007-12-16 23:11:09 | 只看該作者
0.35um製程, 應該 L 都用0.35um , W可用10um或是5um,我在學HSPICE都是這樣設定的& J: ?2 M8 _: `/ l5 }  w% _, P; P
但還是要看設計者啦
10#
發表於 2008-1-15 14:31:07 | 只看該作者
看是類比還是數位電路,7 ^5 L0 k" h0 q6 @
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L,% L, [1 C, Y2 X
數位電路基于經濟的考慮,會選取最小的L, 0.35um. 因為數位的處理電平都是0和1.
11#
發表於 2008-1-15 16:55:07 | 只看該作者
2樓的是REVERSE吧...
% |" O3 |0 O2 J, M- F
3 H( J) z6 b: n/ k8 n5 @/ D7 G我想還是要以分析來設計5 S& a2 }, f, b$ J- s# x5 Y
5 d7 D) x1 a, {: }5 n/ G& D
先明白公式,推小信號MODEL6 g3 O5 S2 i# g$ g3 x; I+ P) j  P
. }' d7 T4 I/ T9 Z8 \: p; Y
應該可更清楚
12#
發表於 2008-1-15 21:09:51 | 只看該作者
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L7 K  C7 r% Q# O( [0 {& P* c2 v6 U
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
: ~9 p5 D, a) l. j. S2 V3 f基於 製程變異 及 短通道效應
  G& c: N# X' H: @: s1 p  r% H, H5 l7 X( R7 H4 g
先明白公式,推小信號MODEL+ M' J2 ~& V  S0 o3 Z
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
8 K8 ~3 S; K( q5 E, W* p# M20/2 跟 10/1  在數學上是一樣的(忽略2次效應)
' w. n' Q% C* W$ [但在 hspice 可能是不同的 mos model
13#
發表於 2008-2-12 05:07:41 | 只看該作者
for the 0.35 process L usually is 0.4 in the process datasheet, then you calculate your W according the formula Id=1/2uCox(W/L)Vov*2 usually,But as the other guy said your specification is the first
14#
發表於 2008-3-11 13:36:34 | 只看該作者
Reasonable sizes for lengths of the transistor might be between 1.5 and 2 times the minimum transtor lengh of particular technology.
15#
發表於 2008-4-5 22:02:12 | 只看該作者
一般length都會設計在最小L的2-5倍$ P/ X2 `( h, j: A3 e
再看電流來設計wenth
16#
發表於 2008-4-11 15:42:44 | 只看該作者
L大小的選擇和mos的使用有關係
) c% \% O6 p8 h2 H' V/ {' D有從match的考慮,電壓mos和電流mos" V9 _! M8 N0 ?  D8 v: \8 v0 k
有從1/fnoise的考慮等等
: r: g/ p# N$ P0 d3 w0 }8 b# g沒有絕對5 E  T$ S, E  e  t; s
w的選擇主要和vdsat和L大小相關
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