想請問一下設計mos的wenth跟length

yuiz

最近一直在模擬paper上的電路，(也清楚了為何電路會這樣接)
- {6 U* T7 p1 g- o2 D2 a, P好比說VCO，PLL的電路
& I4 e) d* }: N; ~通常你們在設計nmos或pmos的時候，長寬比都怎麼去設計呢
如果是以0.18um製成或0.35um的製程來說
" Q) i- U) w: t* E不知道各位專家有沒有什麼建議或指導之類的.....

sjhor

類比的世界  沒有 standard!!
7 ?9 W2 Q0 X, D% B5 U+ i+ H所有的 width & length 都是依照設計者的需求來設計!!
所以  應該沒有人可以告訴你標準答案!!
0 H: u  {; A$ u$ ?' C/ o或許  有這麼一條 guide line 叫做  儘量不要用到 min. length/width!!
這是考慮到製程變異的時候!!  假如不 care 時  也是可以用的啦!!
看你自己的需求唷!!

liangshangquan

L大小的選擇和mos的使用有關係
/ d) m7 L9 [2 J  y" L  G$ P+ |有從match的考慮，電壓mos和電流mos
有從1/fnoise的考慮等等
沒有絕對
" p& W5 m* Y3 h+ H5 q4 M' hw的選擇主要和vdsat和L大小相關

dennates

一般length都會設計在最小L的2-5倍
再看電流來設計wenth

賴永諭

Reasonable sizes for lengths of the transistor might be between 1.5 and 2 times the minimum transtor lengh of particular technology.

wiltao

for the 0.35 process L usually is 0.4 in the process datasheet, then you calculate your W according the formula Id=1/2uCox(W/L)Vov*2 usually,But as the other guy said your specification is the first

gimayon

類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L
1 A6 g! I1 V* b% r8 |4 O. }^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
基於 製程變異 及 短通道效應
6 W% d* M; H1 {- G9 i- n9 N8 T
" c9 y" V4 Y9 |  G" A/ `先明白公式,推小信號MODEL
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
20/2 跟 10/1  在數學上是一樣的(忽略2次效應)
# T9 E9 ^$ D- m7 y但在 hspice 可能是不同的 mos model

andywu

2樓的是REVERSE吧...

我想還是要以分析來設計
% w4 o1 T! f0 G5 P9 Q
+ f8 {3 L6 b. [( s8 i先明白公式,推小信號MODEL
. k) Y* w5 [9 ~
/ ~2 z1 \/ l6 `( _應該可更清楚

hycmos

看是類比還是數位電路,
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L,
數位電路基于經濟的考慮,會選取最小的L, 0.35um. 因為數位的處理電平都是0和1.

eeKuo

0.35um製程, 應該 L 都用0.35um , W可用10um或是5um,我在學HSPICE都是這樣設定的
但還是要看設計者啦

twteng

一般類比電路的書籍(ex:Alan..)都會提到喔，大部分都是以OP當做例子，利用OP的規格去回推MOS的SIZE喔.

wuwen

Sorry, I would say they are total mismatch!

temes

比如W/L=12/60. 和这个20/30。match怎么看

緣緣

一般在設計NMOS或PMOS，為了讓MOS在飽和區工作，以所需要的電流(Id)，再利用MOS飽和區電流公式Id=1/2 u Cox (W/L)(Vgs-Vt)2來估算W/L的比值，
  f. G; C- j/ w* \另外，如果是0.35um的製程，表示L最小可以到0.35um，但建議不要用到最小，因為如果製程不穩，L很可能會跑掉，而造成電路Function功能不正常。

li202

L與W跟你的操作電流、頻率盛至跟溫度有關
0 w2 \# ?+ j( O. I一般L的不要抓到min值,L大一點可以避掉製程size的變異
$ M0 S$ @) \8 a9 n8 G% O適當的W/L比例控制去抓Veff值比較好

gengwd

根据工艺确定Length,然后根据MOS的功率和速度确定wenth。