Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 22734|回復: 15
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 想請問一下設計mos的wenth跟length

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2007-9-15 00:17:02 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近一直在模擬paper上的電路,(也清楚了為何電路會這樣接)
( O' f% J. _+ f& o" C好比說VCO,PLL的電路
# V" `; l% ]" @通常你們在設計nmos或pmos的時候,長寬比都怎麼去設計呢
5 e" q5 O6 m$ s' r* K如果是以0.18um製成或0.35um的製程來說
- L! {& m, S6 @$ S9 I7 o" O不知道各位專家有沒有什麼建議或指導之類的.....
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂13 踩 分享分享
推薦
發表於 2007-9-19 10:31:31 | 只看該作者
類比的世界  沒有 standard!!' f/ A% Z5 j1 U8 F9 ^$ z. p
所有的 width & length 都是依照設計者的需求來設計!!
# J* o3 Y+ p) M5 m$ s3 Y4 {/ m所以  應該沒有人可以告訴你標準答案!!
0 y! ]7 V6 O* e+ s2 y$ B+ s或許  有這麼一條 guide line 叫做  儘量不要用到 min. length/width!!4 u4 q8 P" j( x9 n6 J( @
這是考慮到製程變異的時候!!  假如不 care 時  也是可以用的啦!!# C) @2 c8 V1 R; w" S. r8 k
看你自己的需求唷!!

評分

參與人數 1 +5 收起 理由
monkeybad + 5 Good answer!

查看全部評分

2#
發表於 2007-9-16 18:56:58 | 只看該作者
根据工艺确定Length,然后根据MOS的功率和速度确定wenth。
4#
發表於 2007-9-19 17:04:53 | 只看該作者
L與W跟你的操作電流、頻率盛至跟溫度有關4 c) L( m  t* m2 k  V
一般L的不要抓到min值,L大一點可以避掉製程size的變異$ K9 B* N2 w  F; |- Y
適當的W/L比例控制去抓Veff值比較好
5#
發表於 2007-9-20 16:46:12 | 只看該作者
一般在設計NMOS或PMOS,為了讓MOS在飽和區工作,以所需要的電流(Id),再利用MOS飽和區電流公式Id=1/2 u Cox (W/L)(Vgs-Vt)2來估算W/L的比值,
3 B7 t3 A3 M0 s8 X! c% y: q另外,如果是0.35um的製程,表示L最小可以到0.35um,但建議不要用到最小,因為如果製程不穩,L很可能會跑掉,而造成電路Function功能不正常。
6#
發表於 2007-9-21 19:50:54 | 只看該作者
比如W/L=12/60. 和这个20/30。match怎么看
7#
發表於 2007-10-26 13:49:55 | 只看該作者
Sorry, I would say they are total mismatch!
8#
發表於 2007-12-16 19:42:58 | 只看該作者
一般類比電路的書籍(ex:Alan..)都會提到喔,大部分都是以OP當做例子,利用OP的規格去回推MOS的SIZE喔.
9#
發表於 2007-12-16 23:11:09 | 只看該作者
0.35um製程, 應該 L 都用0.35um , W可用10um或是5um,我在學HSPICE都是這樣設定的
/ w9 F2 K: j+ p8 X* K7 q但還是要看設計者啦
10#
發表於 2008-1-15 14:31:07 | 只看該作者
看是類比還是數位電路," W- H0 J" t! e) e" T8 _8 H. }, ~
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L,8 L' G& }  o: k0 T/ Q1 b
數位電路基于經濟的考慮,會選取最小的L, 0.35um. 因為數位的處理電平都是0和1.
11#
發表於 2008-1-15 16:55:07 | 只看該作者
2樓的是REVERSE吧...2 R: H6 y& [3 _9 k
( W7 w2 U% G& h) A
我想還是要以分析來設計$ c( @: M5 z4 J, X9 o
2 F0 X& [! r- N' t
先明白公式,推小信號MODEL- L. N2 i" I4 M; r7 ?3 R9 F
: I7 j0 u# X, {5 o. ^4 i: _' P
應該可更清楚
12#
發表於 2008-1-15 21:09:51 | 只看該作者
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L
, t' E9 T% g) F3 y+ l^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^& N2 i& [7 J  c( T3 A, _& q
基於 製程變異 及 短通道效應 . J" L: @; \1 `

) R' E: @3 }* F& W6 @先明白公式,推小信號MODEL
% g; d7 r. d0 e: P0 G' @' m0 n^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^9 j, n$ O& ]- Y
20/2 跟 10/1  在數學上是一樣的(忽略2次效應)% s$ T  x/ Y1 M9 T+ b
但在 hspice 可能是不同的 mos model
13#
發表於 2008-2-12 05:07:41 | 只看該作者
for the 0.35 process L usually is 0.4 in the process datasheet, then you calculate your W according the formula Id=1/2uCox(W/L)Vov*2 usually,But as the other guy said your specification is the first
14#
發表於 2008-3-11 13:36:34 | 只看該作者
Reasonable sizes for lengths of the transistor might be between 1.5 and 2 times the minimum transtor lengh of particular technology.
15#
發表於 2008-4-5 22:02:12 | 只看該作者
一般length都會設計在最小L的2-5倍
  Q/ m/ r7 F+ `, O4 O再看電流來設計wenth
16#
發表於 2008-4-11 15:42:44 | 只看該作者
L大小的選擇和mos的使用有關係
8 M1 \# W" n/ x$ P有從match的考慮,電壓mos和電流mos
5 n9 J; z$ g& A4 q) F有從1/fnoise的考慮等等% g1 d' R0 J% P! l7 K
沒有絕對
/ U0 ?+ G; x/ Q& m$ z  qw的選擇主要和vdsat和L大小相關
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-8 08:13 PM , Processed in 0.112006 second(s), 20 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表