致力於在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 和全球領先的高性能類比技術供應商Analog Devices公司宣佈推出以美高森美一系列碳化矽MOSFET產品和Analog Devices公司ADuM4135 5KV隔離式閘極驅動器為基礎的可擴展碳化矽(SiC)驅動器參考設計解決方案。這款雙碳化矽MOSFET驅動器參考設計提供易於使用的設計指南，讓使用美高森美碳化矽MOSFET的客戶可縮短上市時間，並支援過渡到美高森美的下一代碳化矽MOSFET。 新的參考設計可為客戶提供高度隔離的碳化矽MOSFET雙閘極驅動開關，以作為一種評估在多種拓撲中的碳化矽MOSFET之方法。這包括為支援同步死區時間保護的半橋開關和無保護非同步訊號傳輸而最佳化的模式。透過配置，它也可以提供並行驅動以滿足研究非鉗位感應開關(UIS) 或雙脈衝測試的要求。該參考設計專為美高森美的碳化矽MOSFET離散式器件和模組而開發，是用於評估其SiC器件產品組合的工程工具。其電路板支援閘極電阻值的修改，以容納大部分的美高森美離散式器件和模組。 美高森美的策略行銷經理Jason Chiang說：「雙碳化矽MOSFET驅動器參考設計不僅使美高森美的客戶加快產品的開發工作，它也可以配合我們的下一代碳化矽MOSFET的推出，以確保終端用戶有一個順暢的過渡過程。重視功率電子器件整體設計的客戶，可利用我們的新型碳化矽驅動器解決方案為其設計選擇最佳的驅動器和元件，並能夠根據其特定碳化矽MOSFET的需求進行擴展。」 雙碳化矽MOSFET驅動器參考設計非常適合各種終端市場和應用，包括航空航太(致動、空調和配電)、汽車(混合動力/電動汽車傳動系統、電動汽車電池充電器、直流-直流轉換器)、國防(電源和高功率馬達驅動)、工業(光伏逆變器、馬達驅動器、焊接、不斷電供應系統、開關模式電源、感應加熱和石油勘探)以及醫療(MRI和X射線電源)。 Analog Devices公司與美高森美雙方的合作是加速生態系統(Accelerate Ecosystem)的一部分，此一生態系統的目標是為最終使用者縮短上市的時間，以及讓加快生態系統中的參與者盡快產生營收。美高森美的加速生態系統匯集了領先的矽、矽智財權(IP)、系統、軟體和設計專家，為終端客戶提供經過驗證的電路板和系統級解決方案。 碳化矽產品具有多種優勢，包括更高的系統效率，在相同的物理尺寸下將功率輸出提高了百分之二十五至五十，以及在更高的開關頻率下實現高於絕緣式閘極雙極性電晶體(IGBT)的效率，縮小了系統的尺寸和減輕了重量，增強了在溫度過高(+175℃)時的運行穩定性，並顯著降低了冷卻成本。 據市場調研公司Yole Développement的估計，碳化矽功率器件的市場規模將於二○二一年超過5.5億美元，其中，二○一五至二○二一年的年複合增長率(CAGR)為百分之十九。該公司也描述了碳化矽的優勢如何影響新產品和碳化矽技術的開發。憑藉動態性能和熱性能優於傳統矽功率MOSFET的碳化矽MOSFET產品及其他優勢，美高森美已為因應這些趨勢而做好了充分的準備。將Analog Device公司的ADuM4135隔離碳化矽驅動器解決方案導入到美高森美的MSCSICMDD/REF1碳化矽MOSFET驅動參考設計之中，可進一步增強美高森美滿足客戶產品開發需求的能力。 Analog Devices公司的隔離閘極驅動器具備DESAT和眾多其他保護功能，可提供強大的閘極驅動能力(6A)以及可靠的電氣隔離，這對在高壓功率轉換系統中實現長使用壽命和安全操作至關重要。Analog Devices公司的隔離閘極驅動器產品組合為設計人員提供了優於採用光電耦合元件或脈衝變壓器設計的性能與可靠性。借助Analog Devices公司經過驗證的iCoupler®技術，此一隔離閘極驅動器系列為支援寬能頻隙(Wide Band Gap)器件(尤其是碳化矽MOSFETS)的高電壓和高開關速度應用提供了許多關鍵的優勢。這包括優於50 ns的出色傳播延遲以及小於5 ns的通道間匹配，高於100KV/us的共模瞬變免疫能力(CMTI)，以及在單個封裝中支援高達1500V DC的使用期工作電壓。 |
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